5月7日，山东大学集成电路学院刘超教授团队宣告在Micro LED显现技能领域获得重要发展，完成了单片集满足氮化镓（GaN）有源驱动的Micro LED显现模块。
Micro LED凭仗高亮度、高对比度、长寿命和低功耗等优势，被视为下一代高端显现技能的重要方向。不过，现在干流的硅基CMOS或TFT像素驱动计划，与GaN基Micro LED在资料和工艺上存在兼容性问题，常常要杂乱的巨量搬运和金属键合工艺。
这一混合集成道路不只简单带来热失配、寄生效应及对准误差等问题，也增加了制作本钱，限制了大面积、高密度Micro LED显现的产业化进程。因而，在单一GaN渠道上完成像素电路与Micro LED的单片集成，成为职业要点研讨方向。
图1 单片集满足GaN基2T1C-μLED显现模块的（a）结构示意图，（b）等效电路图和（c）光学显微镜图画，以及（d）亮度调控与（e）开关切换测验成果。
针对这一问题，刘超教授团队开发了自对准选区外延再成长技能。根据4英寸GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）外延结构，团队完成了晶圆级Micro LED的精准再成长与无缝电学互连，制备出的Micro LED结构在厚度一致性和组分均匀性方面体现杰出。
一起，团队研发的全GaN基2T1C-μLED显现模块，完成了安稳的亮度调控和牢靠的开关切换，展现出全GaN单片集成架构在高刷新率和精密灰度操控方面的使用潜力。比较传统混合集成计划，该技能可省去杂乱的搬运与键合工艺，在降造杂乱度和本钱的一起，进一步发挥GaN资料在高频、高效和高牢靠性方面的优势。
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